極端紫外線 ニコン
加速する極端紫外線リソグラフィEUVL技術LSI微細化を担う露光技術として期待 ハーフピッチ45nm 以降のLSI の微細化を担う露光技術として期待されている一つに波長135nm の極端紫外線EUVExtreme Ultravioletを使うリソグラフィEUVLEUV Lithography技術がある.
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